Samsung High-NA EUV Teknolojisiyle Çip Üretiminde Yeni Döneme Hazırlanıyor

Samsung High-NA EUV Teknolojisiyle Çip Üretiminde Yeni Döneme Hazırlanıyor

Samsung, ASML ile High-NA EUV teknolojisi için iş birliğini genişletti. 2028 yılına kadar DRAM üretiminde High-NA EUV kullanımı hedefleniyor. Endüstri, 6 inçten 12 inçlik fotomaskelere geçiş için ortak bir girişim başlattı. Yeni 12 inçlik maskelerin 2033'te gelişmiş üretim süreçlerine girmesi bekleniyor.

  • Samsung, ASML ile ortaklığını genişleterek High-NA EUV litografi teknolojisine geçiş yapacağını duyurdu.
  • Şirket, 2028 yılına kadar yüksek hacimli DRAM üretiminde High-NA EUV makinelerini kullanmayı hedefliyor.
  • Endüstri genelinde 6 inçten 12 inçlik fotomaskelere geçiş için yeni bir girişim başlatıldı.
  • Yeni 12 inçlik fotomaskelerin 2033 yılına kadar gelişmiş düğüm üretim süreçlerine dahil edilmesi planlanıyor.

Samsung, yapay zeka çağının gereksinimlerini karşılamak ve yarı iletken üretim kapasitesini artırmak amacıyla Hollandalı ekipman üreticisi ASML ile stratejik iş birliğini genişletti. Bu kapsamda şirket, en gelişmiş çip üretim teknolojilerinden biri olan High-NA EUV (Yüksek Sayısal Açıklıklı Aşırı Ultraviyole) litografi sistemlerini üretim süreçlerine entegre etmeye hazırlanıyor.

DRAM Üretiminde High-NA EUV Dönemi

Samsung, 2028 yılına kadar High-NA EUV makinelerini yüksek hacimli DRAM bellek üretimi için kullanmayı planladığını açıkladı. Bu hamle, sektörde bir ilk olma özelliği taşıyor ve bellek ölçeklendirme yol haritasını genişletmeyi hedefliyor. Yeni teknoloji, üretim adımlarını basitleştirerek verimliliği artırmayı ve daha yoğun yonga plakaları elde etmeyi amaçlıyor.

Samsung, ASML, High-NA EUV, yarı iletken, DRAM

12 İnçlik Fotomaskelere Geçiş

Şirket, mevcut 6 inçlik standarttan 12 inçlik yeni nesil fotomaskelere geçiş yapmak için endüstriyel bir girişime katıldı. Bu değişim, çip üretim tesislerindeki verimliliği artırmayı, maliyetleri düşürmeyi ve en gelişmiş üretim düğümlerindeki “dikiş” (stitching) kısıtlamalarını ortadan kaldırmayı hedefliyor. 12 inçlik maskelerin üretim süreçlerine dahil edilmesiyle birlikte, daha karmaşık çip tasarımlarının daha az işlemle üretilmesi mümkün olacak.

Samsung, ASML, High-NA EUV, yarı iletken, DRAM

ASML, 12 inçlik fotomaskeler için pilot üretim hattını 2031 yılında kurmayı, 2033 yılı itibarıyla ise bu teknolojiyi gelişmiş düğüm üretim süreçlerinde yaygınlaştırmayı planlıyor. Samsung, bu geçiş sürecini desteklemek amacıyla gerekli altyapı ve maske teknolojilerini geliştirmek için endüstri ortaklarıyla yakın çalışma yürütecek.

1 yorum

Bir yanıt yazın